EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-AMPD-D High Speed Amplified Microwave InGaAs Photodetector
- מהירות גבוהה, רוחב פס רחב
- משולב Bias-T
- היברידי משולב O/E
- הגבר גבוה, רעש נמוך, פס רחב
- מחבר SMA אטום הרמטית
- זרם כהה נמוך, יחס אות לרעש גבוה.
- גודל קטן.
תיאור המוצר
ה-LK-AMPD-D הוא שילוב של רכיבים אופטיים ואלקטרוניים, הכולל פוטודיודה InGaAs רחבת טווח ומגבר בעל רעש מינימלי. לפוטודיודה PIN InGaAs טווח רגישות מ-1000 עד 1650 ננומטר. המגבר בעל רעש נמוך מתגאה בהגבר RF של 30dB.
ה-LK-AMPD-D מסוגל לספק רוחבי פס של 12GHz או 20GHz. מכשיר זה פועל עם ספק כוח של +9V. הוא נועד לעבוד עם סיב אופטי סטנדרטי במצב יחיד 9/125μm כקלט. יציאת ה-RF כוללת מחבר מסוג SMA המותאם לעכבה של 50 אוהם.
LK-AMPD-D אטום באופן המונע חדירת לחות ומזהמים אחרים, ומשקלו פחות מ-23 גרם. הוא מאושר לעמוד בדרישות הוראת הגבלת חומרים מסוכנים (RoHS) 2.0.
מפרט טכני
| דירוג מקסימלי אופייני ומוחלט | ||||
|---|---|---|---|---|
| פרמטר | סימ. | Typ | דֵרוּג | יחידה |
| טווח טמפרטורת אחסון | TSTG | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
| טווח טמפרטורות מארז ההפעלה | TC | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
| מתח הטיה | VR | +9 | +9 ～ +12 | V |
| כוח קלט אופטי | אורן | 0 | +10 | dBm |
| כוח אופטי לשחיקה | PB | - | +13 | dBm |
| טמפרטורת הלחמת עופרת | Tp | 280（10 שניות） | 330（10 שניות） | ℃ |
| מאפיינים חשמליים/אופטיים (TC = 22 ± 3 ℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| פרמטר | סימ | מצב מבחן | ערכי פרמטרים | יחידה | ||
| טווח אורך גל | λ | - | 1000 ~ 1650 | nm | ||
| טווח תדרים | - | - | להקת X | קו - להקה | - | |
| רוחב פס של אותות קטן | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0. 3 ～ 12 | 2 ～ 20 | GHz | |
| תגובה | Re | VR =+9V, Pin = 10mW | λ = 1310 ננומטר | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / w |
| λ = 1550 ננומטר | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| שטוחות משרעת | A | TC =-45 ~ +85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| עוצמה אופטית רוויה | Ps | VR = +9 וולט, λ = 1550 ננומטר AC מאופנן | +10 | dBm | ||
| הגברת אות RF | G | - | 30 ± 1 | dB | ||
| רוויה RF פלט כוח | Pהַחוּצָה | - | +10 | dBm | ||
| פלט VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| עכבת מוצא | RL | - | 50 | Ω | ||
●עקומות תגובה אופייניות
(איור 1 תגובת תדר גלאי פוטואלקטרי בפס X)
(איור 2. תגובת תדר גלאי פוטואלקטרי Ku)
●מידות ופינים (יחידה: מ"מ[אינץ'])
מחבר RF: SMA
●מזמין מידע
גיליון 1:
| קופונים | הגברת אות RF | הֶעָרָה |
| D | 30 dB | תדר אופייני ותדר מרכזי |
גיליון 2:
| קופונים | רוחב פס אנלוגי |
| X | 0.3 ～ 12 גיגה-הרץ |
| Ku | 2 ～ 20 גיגה-הרץ |
גיליון 3:
| קופונים | סוג המחבר | הֶעָרָה |
| N | אין מחבר | צמת סיבים חד-מצביים 9/125 מיקרומטר |
| A | FC / APC | |
| P | FC / מחשב |
●אמצעי זהירות
רדיוס כיפוף הסיבים לא פחות מ-20 מ"מ למניעת נזק לסיבים.
ודא שפן צימוד הסיבים נקי לפני חיבורו למעגל האופטי.
נדרשת הגנה מתאימה מפני ESD באחסון, הובלה ושימוש.
ניתן להתאים אישית את כל גלאי הפוטו הסטנדרטיים שלנו למודולים!
יישומים
עיבוד מידע מכ"ם
לוחמה אלקטרונית
מדידת אנטנה
תקשורת סיבים אופטיים
אבטחה ומעקב
